掲載期間:25/07/29~27/07/28 求人管理No.027242
募集要項
化合物半導体製造技術の開発業務を担当。ご経験やご希望などを踏まえて担当業務をご提案します
- 仕事内容
- 以下に例示する化合物半導体製造技術の開発業務を担当。ご経験やご希望などを踏まえて担当業務をご提案します。
・化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計
・化合物半導体のウエハ加工技術の開発
・化合物半導体の結晶およびウエハの評価と解析。検査技術の開発 - 応募条件
-
- 【必須事項】
- 以下2点のいずれかの経験があること
■GaN自立基板結晶成長技術開発経験(実務経験5年以上)
■SiCやGaN、そのほか高脆性材料・難削材の化合物半導体を対象とした、加工技術、生産、研究開発いずれかの経験(実務経験5年以上)
・語学力:英語 - 【歓迎経験】
- ・専攻:物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学
・経験職種(年数)・経験内容:
■GaN自立基板の高品質化(低転位化)技術ないし大口径化、HVPE(ハライド気相成長)法技術開発経験(5年以上)
■高脆性材料・難削材のスライス、ラップ、研削、研磨、レーザー加工等の技術開発経験(5年以上) - 【免許・資格】
- 【勤務開始日】
- 応相談
- 学歴
- 大学卒以上
- 雇用形態
- 正社員
- 試用期間
- 6ヶ月
- 勤務地
- 転勤の有無
- 可能性あり
- 受動喫煙防止措置
- 敷地内禁煙(喫煙場所なし)
- 勤務時間
- 通常(実質労働時間との連動)
就業時間:08:30 ~ 17:45
フレックス制度有 - 勤務開始日
- 応相談
- 休日休暇
- 土日祝
年間有給休暇:
法定休暇:年次有給休暇
その他休暇:特別休暇(忌引、結婚等)、積立年次有給休暇 等 - 年収・給与
-
年収 800万円~1300万円
基本給 月給47-76万円
残業20H/月込参考年収:9,188,240~13,158,000円
※等級・グレードによっては時間外管理監督外となるため残業代の支給はございません。 - 諸手当
- 通勤手当、土日祝手当等
- 昇給
- あり
- 賞与
- あり
- 採用人数
- 1名
- 待遇・福利厚生
- 通勤手当:有
通勤費補助制度、退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険 等 - 各種制度
- 健康保険:有
雇用保険:有
労災保険:有
厚生年金:有
定年:65歳
退職金制度:有 - 選考プロセス
- 1)書類選考
2)一次面接
3)最終面接
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